高壓功率

SiC MOSFET 與 SiC 蕭特基二極體

高效率。低損耗。高可靠度。專為 1200V 及更高電壓打造。AI 散熱基礎設施功率級的大腦與守護者。

SiC MOSFET · 1200V SiC 蕭特基 · 650V/1200V 零逆向恢復 高速切換
SiC MOSFET 詳細資訊 → SiC 蕭特基詳細資訊
AI 機櫃電源 · SiC 前端AC277V圖騰柱 PFCQ1Q2Q3Q4快臂慢臂400/800V直流匯流排LLC 一次側Q5Q6Q7Q8650V / 1200V SiCSRLV ↗48V機櫃匯流排升壓 PFC · 替代架構QbD1SiC SBD800VDC · SST / SSCBS1S2CBSSTSSCB1200VSiC MOSFETSiC 蕭特基高壓路徑滑過功率級查看說明 · 點選查看建議元件
AI 機櫃電源前端：SiC MOSFET 與 SiC 蕭特基二極體所在位置。滑過功率級查看說明，點選即可在下方列出建議元件。
SiC · 1200V 平台 · 為 AI 基礎設施打造

大腦與守護者 AI 散熱基礎設施

智慧電源。精準控制。卓越效率。inergy SiC 功率元件讓 AI 資料中心保持涼爽、高效且全天候運轉——提供次世代 AI 散熱管理系統所需的高壓切換效能。

SiC MOSFET

1200V 平台 · 高速 · 高效率 · 專為 1200V 及更高電壓打造。提供 TO-247 與 SMD 封裝。

SiC 蕭特基二極體

650V / 1200V 平台 · 超低損耗 · 零逆向恢復 · 為 AI 電源供應器整流提供卓越可靠度。

檢視 AI 應用 →
1200V
SiC MOSFET 額定
650/1200V
SiC 蕭特基平台
~0
逆向恢復（SBD）
高 T°
穩定運作
建議元件 · 18 顆

依功率級建議的 SiC 元件

PFC、LLC 與 800VDC 功率級的 SiC MOSFET 取自 AI 伺服器設計指南；升壓 PFC 則使用 650V SiC 蕭特基系列。新的 SiC 料號顯示初步數值 — 詳細資料請與我們聯繫。

選擇功率級位置 — 或點選上方圖中的方塊。
耐壓等級依該位置的最壞應力決定，而非標稱電壓。
Pick a socket to see the recommended voltage class and the inergy devices that fit.

點選任一列可查看完整規格、應用位置與規格書。

型號 類型 VDS / VRRM Rds(on) max ID / IF Qg 封裝 狀態 加入送樣清單

標示 * 的 SiC MOSFET Rds(on) 為料號所示的標稱等級，高壓直流數值為典型值。SiC 蕭特基二極體的電壓欄為 VRRM、電流欄為最大 IF。設計定案前請以規格書為準。

SiC MOSFET · 1200V 平台

SiC MOSFET — 1200V

高速、高效率的 SiC 功率 MOSFET，專為 1200V 及更高電壓打造。為最嚴苛的 AI 基礎設施電源轉換環境而設計。

規格數值
額定電壓1200V 平台
技術碳化矽（SiC）N 通道
切換速度高速
效率高——較 Si IGBT 更低的切換損耗
散熱表現高接面溫度下穩定
封裝TO-247 / SMD 選項
應用AI 機架 PSU、PFC、高壓馬達驅動

為何 AI 基礎設施採用 SiC MOSFET？

  • 更低切換損耗 ——更快的切換可實現更高頻率與更小的磁性元件
  • 更低導通損耗 — ultra-low RDS(on) at high temperature, stable performance
  • 高溫運作 ——接面溫度穩定性對 AI 機架散熱環境至關重要
  • 更高效率的 PSU — supports 80 Plus Titanium and beyond for AI rack power targets
  • 更小的磁性元件 ——更高的切換頻率可縮小變壓器與電感體積
SiC 蕭特基 · 650V / 1200V 平台

SiC 蕭特基二極體 — 零逆向恢復

高效能 SiC 蕭特基二極體，適用於高效率整流。零逆向恢復消除切換突波——對噪音敏感的 AI 電源系統至關重要。

規格數值
額定電壓650V / 1200V
技術碳化矽蕭特基
逆向恢復～零（相較 Si 二極體）
順向恢復～零
切換損耗超低
熱穩定性高——於高接面溫度下穩定
封裝提供 TO-247 / SMD / SiP

主要效能優勢

  • 零逆向恢復電荷 — eliminates switching spikes in PFC and inverter circuits
  • 零順向恢復 ——消除順向電壓過衝暫態
  • 超低切換損耗 — enables high-frequency operation with minimal EMI
  • 溫度穩定的順向電壓 — positive Vf coefficient enables parallel operation
  • 卓越可靠度 — SiC technology ensures long-term stable performance in AI infrastructure

650V SiC 蕭特基二極體 — 產品系列

比較全部八款 650 V SiC 蕭特基二極體並下載規格書。點選任一欄位標題即可排序。

型號 封裝 VRRM (V) 最大 IF (A) VF (V) Ptot (W) Tj (°C) RthJC (°C/W) 規格書
iS065C04CD2TO252-2L65041.3711752.10PDF ↓
iS065C04CETO220A-2L65041.3701752.10PDF ↓
iS065C06CD2TO252-2L65061.3881751.70PDF ↓
iS065C06CETO220A-2L65061.3911751.64PDF ↓
iS065C08CD2TO252-2L65081.31001751.50PDF ↓
iS065C08CETO220A-2L65081.31071751.40PDF ↓
iS065C10CD2TO252-2L650101.31091751.24PDF ↓
iS065C10CETO220A-2L650101.31201751.24PDF ↓

// 650 V VRRM 全系列適用 · VF 典型 · Tj(max) 175 °C · 規格書於新分頁開啟

AI 基礎設施應用

SiC 元件應用

應用元件額定角色主要效益
AI 機架 PSU（伺服器 PSU）SiC MOSFET1200VPFC 一次側開關、LLC 一次側高效率，支援 80+ Titanium
主動式 PFC 氣冷器SiC MOSFET + 蕭特基650V / 1200V升壓開關 + 整流器超低損耗 PFC 級、高功率因數
高壓鐵路／EC 馬達SiC MOSFET1200V三相逆變器開關高速馬達驅動、低切換損耗
AI 機架 UPS／BBUSiC MOSFET + 蕭特基650V–1200V雙向轉換器高效率充放電、快速響應
液冷高壓幫浦SiC SBD650V續流二極體零逆向恢復，降低幫浦逆變器的 EMI
DC/DC 電源轉換SiC MOSFET1200V隔離式轉換器一次側高頻運作、精巧磁性元件
儲能系統SiC MOSFET + 蕭特基650V–1200V雙向 AC/DC + DC/DC高溫穩定、高功率密度
效能優勢

為何採用 SiC 於 AI 基礎設施？

更高效率

SiC 元件相較矽 IGBT 與標準 MOSFET 大幅降低切換與導通損耗——直接降低 AI 資料中心的 PUE。

更佳散熱控制

穩定。可靠。安全。SiC 可在更高接面溫度下運作且電氣特性穩定——實現更小、更簡潔的散熱片設計。

更高功率密度

更高的切換頻率可縮小被動元件尺寸。更小的磁性元件與電容可實現更高密度的電源供應與功率級設計。

更綠色的未來

在晶片層級降低功率損耗，可直接減少 AI 基礎設施的碳足跡。對淨零資料中心目標至關重要。

驅動 AI。 守護 效能。 讓未來 保持清涼。

SiC 元件樣品

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低壓 MOSFET（30–200V）