驅動每一座 AI 機架的力量
超低 RDS(on)、高電流能力、穩健可靠、48V 資料中心就緒。inergy 低壓 MOSFET 針對各電壓分層的 AI 供電進行最佳化——從 GPU 電源模組到機架 PDU。
- 超低導通電阻 RDS(on) ——將高電流 AI 電源路徑的導通損耗降至最低
- 高電流能力 ——支援高密度多相 VRM 設計
- 48V 資料中心就緒 ——已於 AI 機架架構的 48V 匯流排驗證
- 穩健可靠 ——專為 AI 基礎設施全天候運作設計
- 寬電壓涵蓋 ——單一系列涵蓋 30V 至 200V 平台
- 提供 AEC-Q101 ——適用於嚴苛環境
依功率級建議的低壓 MOSFET
熱插拔、48→12V 轉換器、備援電池、風扇與電源二次側取自 AI 伺服器設計指南；VRM 與 OCP 電源機櫃則選自選型指南中該電壓與封裝 Rds(on) 最低的量產品。
點選任一列可查看完整規格、應用位置與規格書。
| 型號 | 類型 | VDS | Rds(on) max | ID @25°C | Qg | 封裝 | 狀態 | 加入送樣清單 |
|---|
規格取自 inergy MOSFET 選型指南 v2026.Q3.0。Rds(on) 除標示 @4.5V 外皆為 VGS = 10V 最大值；雙顆與 N+P 產品顯示 N / P 或 Q1 / Q2 數值。設計定案前請以規格書為準。
三層涵蓋用於 AI 電源
AI 機架配電
AI 機架中用量最大的低壓 MOSFET 分層。每片 GPU 伺服器板、AI 加速器卡與伺服器主機板都使用數十顆 30–80V MOSFET 進行電源調節與輸送。
匯流排轉換與液冷
中間匯流排轉換器將 48V 降至 12V、同步整流、液冷幫浦 MOSFET、熱插拔控制器與電池備援系統。
電信與 OCP 電源機櫃
用於 OCP 與電信電源機櫃的高壓直流配電、輔助電源供應器、儲能系統，以及高密度 AI 機架中的 DC/DC 電源模組。
AI 機架配電
AI 基礎設施中最普及的 MOSFET 分層。每台 GPU 伺服器、加速器板與機架控制器都使用高密度 30–80V MOSFET 進行負載點電源調節。
GPU 供電（POL VRM）
為 H100、B200 與次世代 AI GPU 供電的多相 VRM 設計。在 300–1000W GPU TDP 下，超低 RDS(on) 對效率至關重要。
48V AI 機架 PDU
48V 匯流排架構（Open Rack v3、OCP）中的配電單元切換與保護 MOSFET。高電流、低導通電阻。
AI 加速器板
加速器卡（TPU、NPU、FPGA）上的 MOSFET 功率級。精巧佈局、高效率、快速切換。
伺服器主機板
CPU VRM、記憶體電源、PCIe 插槽電源與輔助電源軌。高密度多相設計需要超低 RDS(on) 與精巧封裝。
風扇模組與 CDU 控制器
伺服器風扇模組與 CDU 幫浦控制器中的馬達驅動功率級 MOSFET。與 iU6xxx BLDC 驅動 IC 共同最佳化。
匯流排轉換與液冷迴路
中間電壓分層——將 48V 匯流排轉換為 12V 下游電源軌、驅動液冷幫浦級，並管理 AI 機架中的熱插拔與電池備援系統。
48V→12V 中間匯流排轉換器
高效率同步降壓轉換器，將 48V 機架匯流排降至 12V 以供傳統負載分配。同步整流 MOSFET 對效率至關重要。
液冷幫浦驅動
與 iU6398 驅動 IC 搭配的三相幫浦馬達驅動級 N 通道 MOSFET。高壓 N/N 組態，適用於 48V 幫浦運作。
熱插拔控制器
用於高可用性 AI 伺服器中熱插拔 PSU 與硬碟槽設計的突波電流限制 MOSFET。具備穩健的本體二極體特性。
電池備援系統
機架級 UPS 與 BBU 系統中的雙向充放電路徑 MOSFET，保護 AI 工作負載免受斷電影響。
電信與 OCP 電源
電信與 OCP 電源機櫃
用於 -48V 電信機房與 OCP 電源機櫃架構的高壓切換。支援 AC/DC 前端轉換器。
輔助電源供應器
自 170V–200V 匯流排運作的待機與輔助 PSU 級。返馳式與順向轉換器一次側開關。
儲能系統
用於 AI 資料中心 UPS 與需量反應應用的直流耦合電池儲能系統。
DC/DC 電源模組
用於次世代 AI 基礎設施高密度機架配電的隔離與非隔離 DC/DC 磚式模組。
MOSFET 快速選型指南
瀏覽 inergy 完整的低壓 MOSFET 產品線。可依 MOS 類型、VDS、封裝與狀態篩選，並比較 RDS(on), IDS與閘極電荷，以快速的卡片或表格檢視，並直接下載規格書。
inergy 低壓 MOSFET 優勢
更高效率
超低 RDS(on) 可將 AI 機架架構中所有供電路徑的導通損耗降至最低。
更佳散熱控制
更低損耗 = 更低接面溫度 = 為高密度 AI 機架設計提供更多散熱餘裕。
更高功率密度
精巧封裝可為空間受限的 AI 硬體實現更高密度的多相 VRM 與功率級設計。
更綠色的資料中心
更低的功率損耗可直接改善 PUE（電源使用效率），打造更綠色的 AI 基礎設施。
在 AI 資料中心裡，每一顆 1200V SiC MOSFET……
背後都有 數百甚至數千顆 of low-voltage MOSFETs powering every critical function.
索取低壓 MOSFET 樣品與規格書
與 inergy FAE 工程師洽談您的電壓分層、電流需求與封裝偏好，為您的 AI 電源設計匹配合適的低壓 MOSFET。