功率半導體 · 全新系列

低壓 MOSFET
30V ~ 200V
平台

高效率。高密度。為 AI 而生。在 AI 資料中心裡，每一顆 1200V SiC MOSFET 的背後，都有數百甚至數千顆低壓 MOSFET 驅動著每一項關鍵功能。

超低導通電阻 RDS(on) 高電流 48V 資料中心就緒 提供 AEC-Q101
探索電壓分層 → 索取樣品
inergy LV MOSFETs for AI Infrastructure
全新系列 · 超低 RDS(on) · 48V 就緒

驅動每一座
AI 機架的力量

超低 RDS(on)、高電流能力、穩健可靠、48V 資料中心就緒。inergy 低壓 MOSFET 針對各電壓分層的 AI 供電進行最佳化——從 GPU 電源模組到機架 PDU。

  • 超低導通電阻 RDS(on) ——將高電流 AI 電源路徑的導通損耗降至最低
  • 高電流能力 ——支援高密度多相 VRM 設計
  • 48V 資料中心就緒 ——已於 AI 機架架構的 48V 匯流排驗證
  • 穩健可靠 ——專為 AI 基礎設施全天候運作設計
  • 寬電壓涵蓋 ——單一系列涵蓋 30V 至 200V 平台
  • 提供 AEC-Q101 ——適用於嚴苛環境
30–200V
完整電壓涵蓋
3分層
電壓應用分層
48V
資料中心匯流排就緒
1000s
AI 機架中每顆 1200V SiC
電壓平台

三層 涵蓋 用於 AI 電源

// 低壓 MOSFET 電壓涵蓋 — AI 電源應用
30V–80V · AI 機架電源
80V–150V · 匯流排轉換
150V–200V · 電信／OCP
30V80V150V200V
GPU／AI 加速器／VRM 電源
中間匯流排／液冷／熱插拔
電信／OCP 機櫃／儲能
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第一層 · 30V–80V
AI 機架配電
AI 機架中用量最大的低壓 MOSFET 分層。每片 GPU 伺服器板、AI 加速器卡與伺服器主機板都使用數十顆 30–80V MOSFET 進行電源調節與輸送。
48V 機架 PDUGPU VRM（POL）風扇模組
檢視應用 →
🔄
第二層 · 80V–150V
匯流排轉換與液冷
中間匯流排轉換器將 48V 降至 12V、同步整流、液冷幫浦 MOSFET、熱插拔控制器與電池備援系統。
48V→12V 匯流排液冷幫浦熱插拔
檢視應用 →
📡
第三層 · 150V–200V
電信與 OCP 電源機櫃
用於 OCP 與電信電源機櫃的高壓直流配電、輔助電源供應器、儲能系統，以及高密度 AI 機架中的 DC/DC 電源模組。
OCP 機櫃輔助 PSUDC/DC 模組
檢視應用 →
第一層 · 30V–80V

AI 機架 配電

AI 基礎設施中最普及的 MOSFET 分層。每台 GPU 伺服器、加速器板與機架控制器都使用高密度 30–80V MOSFET 進行負載點電源調節。

🎮
GPU 供電（POL VRM）
為 H100、B200 與次世代 AI GPU 供電的多相 VRM 設計。在 300–1000W GPU TDP 下，超低 RDS(on) 對效率至關重要。
30V–60V · 超低 RDS(on)
🔌
48V AI 機架 PDU
48V 匯流排架構（Open Rack v3、OCP）中的配電單元切換與保護 MOSFET。高電流、低導通電阻。
48V 匯流排 · 高電流
🧠
AI 加速器板
加速器卡（TPU、NPU、FPGA）上的 MOSFET 功率級。精巧佈局、高效率、快速切換。
40V–60V · 快速切換
🖥️
伺服器主機板
CPU VRM、記憶體電源、PCIe 插槽電源與輔助電源軌。高密度多相設計需要超低 RDS(on) 與精巧封裝。
12V–48V · 多相
🌀
風扇模組與 CDU 控制器
伺服器風扇模組與 CDU 幫浦控制器中的馬達驅動功率級 MOSFET。與 iU6xxx BLDC 驅動 IC 共同最佳化。
12V–48V · 馬達驅動
第二層 · 80V–150V

匯流排轉換與 液冷迴路

中間電壓分層——將 48V 匯流排轉換為 12V 下游電源軌、驅動液冷幫浦級，並管理 AI 機架中的熱插拔與電池備援系統。

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48V→12V 中間匯流排轉換器
高效率同步降壓轉換器，將 48V 機架匯流排降至 12V 以供傳統負載分配。同步整流 MOSFET 對效率至關重要。
80V–100V · 同步整流
💧
液冷幫浦驅動
與 iU6398 驅動 IC 搭配的三相幫浦馬達驅動級 N 通道 MOSFET。高壓 N/N 組態，適用於 48V 幫浦運作。
80V–120V · 馬達驅動
🔌
熱插拔控制器
用於高可用性 AI 伺服器中熱插拔 PSU 與硬碟槽設計的突波電流限制 MOSFET。具備穩健的本體二極體特性。
100V–150V · 熱插拔
🔋
電池備援系統
機架級 UPS 與 BBU 系統中的雙向充放電路徑 MOSFET，保護 AI 工作負載免受斷電影響。
80V–150V · 雙向
第三層 · 150V–200V

電信與 OCP 電源

📡
電信與 OCP 電源機櫃
用於 -48V 電信機房與 OCP 電源機櫃架構的高壓切換。支援 AC/DC 前端轉換器。
150V–200V · OCP 就緒
🔌
輔助電源供應器
自 170V–200V 匯流排運作的待機與輔助 PSU 級。返馳式與順向轉換器一次側開關。
150V–200V · 輔助 PSU
🔋
儲能系統
用於 AI 資料中心 UPS 與需量反應應用的直流耦合電池儲能系統。
150V–200V · ESS
🔄
DC/DC 電源模組
用於次世代 AI 基礎設施高密度機架配電的隔離與非隔離 DC/DC 磚式模組。
150V–200V · DC/DC
MOSFET 選型器 · 255 款產品

MOSFET 快速選型 指南

瀏覽 inergy 完整的低壓 MOSFET 產品線。可依 MOS 類型、VDS、封裝與狀態篩選，並比較 RDS(on), IDS與閘極電荷，以快速的卡片或表格檢視，並直接下載規格書。

篩選 · MOS 類型 · VDS · 封裝 · 狀態 額定值 · RDS(on) · IDS · 閘極電荷 檢視 · 卡片 & 表格 規格書 下載
在新分頁開啟完整指南 ↗ 搜尋 255 款 MOSFET 並下載規格書。若嵌入式指南無法載入，請使用按鈕直接開啟。
為何選擇 inergy

inergy 低壓 MOSFET 優勢

⚡
更高效率
超低 RDS(on) 可將 AI 機架架構中所有供電路徑的導通損耗降至最低。
🌡️
更佳散熱控制
更低損耗 = 更低接面溫度 = 為高密度 AI 機架設計提供更多散熱餘裕。
📦
更高功率密度
精巧封裝可為空間受限的 AI 硬體實現更高密度的多相 VRM 與功率級設計。
🌱
更綠色的資料中心
更低的功率損耗可直接改善 PUE（電源使用效率），打造更綠色的 AI 基礎設施。

在 AI 資料中心裡，每一顆 1200V SiC MOSFET……

背後都有 數百甚至數千顆 of low-voltage MOSFETs powering every critical function.

// 低壓 MOSFET 樣品與規格書

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樣品與規格書

與 inergy FAE 工程師洽談您的電壓分層、電流需求與封裝偏好，為您的 AI 電源設計匹配合適的低壓 MOSFET。

索取樣品與規格書 → SiC 元件（高壓電源）

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